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  • 型号: SI2333DDS-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI2333DDS-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI2333DDS-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2333DDS-T1-GE3价格参考。VishaySI2333DDS-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 12V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载SI2333DDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI2333DDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 12V 6A SOT23MOSFET -12V 28mOhm@4.5V 6A P-Ch G-III

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,1.5V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 6 A

Id-连续漏极电流

- 6 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2333DDS-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SI2333DDS-T1-GE3SI2333DDS-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

1.7 W

Pd-功率耗散

1.7 W

Qg-GateCharge

9 nC

Qg-栅极电荷

9 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

28 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

28 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 12 V

Vds-漏源极击穿电压

- 12 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

24 ns

下降时间

20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1275pF @ 6V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 8V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

28 毫欧 @ 5A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

SI2333DDS-T1-GE3DKR

典型关闭延迟时间

26 ns

功率-最大值

1.7W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

商标名

P-Channel Gen III

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

18 S

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A (Tc)

系列

Si2333DDS

配置

Single

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