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  • 型号: IXFR230N20T
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFR230N20T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFR230N20T价格参考。IXYSIXFR230N20T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFR230N20T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFR230N20T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFR230N20T是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单N沟道功率MOSFET。该器件具有200V的漏源击穿电压和较高的电流承载能力,适用于多种高电压、高效率的功率电子应用。

主要应用场景包括:

1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等,IXFR230N20T的高耐压和低导通电阻特性有助于提升电源效率并减少发热。

2. 电机驱动:可用于工业自动化设备、伺服电机或步进电机控制电路中,作为功率开关元件,提供快速响应和稳定控制。

3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中,该MOSFET可用于将直流电转换为交流电,其高频开关特性有助于减小系统体积和提高转换效率。

4. 电池管理系统(BMS):在高电压电池组中用于充放电控制和保护电路,确保电池安全运行。

5. 工业控制与自动化:适用于各类工业设备中的负载开关、继电器替代、加热控制等场景。

该器件采用TO-262封装,适合通孔安装,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于中高功率应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXFR230N20T

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

GigaMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 8mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

28000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

378nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8 毫欧 @ 60A,10V

供应商器件封装

ISOPLUS247™

功率-最大值

600W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

156A (Tc)

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