ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 5LN01C-TB-E
Datasheet下载- 型号： 5LN01C-TB-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供5LN01C-TB-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5LN01C-TB-E价格参考。ON Semiconductor5LN01C-TB-E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 50V 100mA（Ta） 250mW（Ta） 3-CP。您可以下载5LN01C-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5LN01C-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 100MA 3CPMOSFET SWITCHING DEVICE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 5LN01C-TB-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 5LN01C-TB-E |
| Pd-PowerDissipation | 0.25 W |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| Qg-GateCharge | 1.57 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1.57 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 42 ns |
| 下降时间 | 105 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6.6pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.8 欧姆 @ 50mA，4V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 典型关闭延迟时间 | 190 ns |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 0.25 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 1.57 nC |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 0.18 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 50 V |
| 漏极连续电流 | 100 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA （Ta） |
| 系列 | 5LN01C |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 10 V |
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