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Datasheet下载- 型号： BLP10H610AZ
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLP10H610AZ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLP10H610AZ价格参考。NXP SemiconductorsBLP10H610AZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双），共源 50V 60mA 860MHz 22dB 10W 12-HVSON（6x5）。您可以下载BLP10H610AZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLP10H610AZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLP10H610AZ是Ampleon USA Inc.推出的一款射频MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件基于LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）技术，具备高效率、高增益和出色的热稳定性，适用于工作频率在600MHz至1000MHz范围内的系统。 典型应用场景包括工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量设备，如感应加热、等离子发生器和介质加热系统。此外，该器件也广泛用于射频功率放大器模块，在广播发射机（如调频广播和数字电视发射机）中提供可靠的高功率输出。由于其优异的耐压性和可靠性，BLP10H610AZ还可用于陆地移动通信基站和某些雷达系统中的射频放大级。 该器件采用气密封装，具备良好的抗环境应力能力，适合在高温、高湿等严苛工业环境中长期稳定运行。其设计便于集成到大功率射频电路中，并支持源极接地配置，有助于简化匹配网络设计并提升整体系统效率。 总之，BLP10H610AZ是一款面向高功率、中高频段射频应用的高性能LDMOS晶体管，适用于广播、工业加热及专业通信系统等关键领域。
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