【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_2N5551RLRAG】封装/厂家_2N5551RLRAG中文资料_价格

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型号： 2N5551RLRAG
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2N5551RLRAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5551RLRAG价格参考￥0.43-￥0.43。ON Semiconductor2N5551RLRAG封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 NPN 160V 600mA 300MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载2N5551RLRAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5551RLRAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的2N5551RLRAG是一款NPN型双极结型晶体管（BJT），广泛应用于模拟和数字电路中。其主要应用场景包括信号放大、开关控制以及音频和射频电路设计。该器件具有较高的电压耐受能力（VCEO达180V），适合用于高电压放大场合，如电视、显示器中的水平扫描电路或高压电源控制。

2N5551RLRAG常用于前置放大器、运算放大器输入级、脉冲发生器和电压反馈电路中，因其良好的线性特性和频率响应，特别适用于小信号放大场景。此外，在工业控制、消费电子和通信设备中，它也常作为高速开关元件使用，实现对负载的精确控制。

由于其SOT-23封装体积小巧，便于在紧凑型PCB布局中使用，适合空间受限的应用。同时，该型号为无铅产品，符合RoHS环保标准，适用于注重环保要求的电子产品制造。总体而言，2N5551RLRAG是一款性能稳定、可靠性高的通用高频小信号晶体管，适用于多种中高压、小功率电路设计场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS NPN GP SS 0.6A 160V TO92两极晶体管 - BJT 600mA 180V NPN
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N5551RLRAG-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	2N5551RLRAG
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	200mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	80 @ 10mA，5V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-92-3
其它名称	2N5551RLRAGOSCT
功率-最大值	625mW
包装	剪切带（CT）
发射极-基极电压VEBO	6 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	300 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Reel
封装/外壳	TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
封装/箱体	TO-92-3 (TO-226)
工厂包装数量	2000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	625 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.6 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	160V
电流-集电极(Ic)（最大值）	600mA
电流-集电极截止（最大值）	-
直流集电极/BaseGainhfeMin	80
系列	2N5551
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	160 V
集电极—基极电压VCBO	180 V
集电极—射极饱和电压	0.25 V
集电极连续电流	0.6 A
频率-跃迁	300MHz

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