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Datasheet下载- 型号： IRF8714PBF
- 制造商： International Rectifier
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IRF8714PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF8714PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF8714PBF价格参考。International RectifierIRF8714PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF8714PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF8714PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF8714PBF的器件是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率场效应晶体管，常用于高效能电源转换与控制应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于对效率和可靠性要求较高的场景。 IRF8714PBF主要应用场景包括： 1. DC-DC转换器：在通信设备、服务器电源及工业控制系统中广泛用于电压调节模块（VRM）和负载点电源（POL）设计。 2. 同步整流：用于提高电源转换效率，常见于反激式或正激式开关电源中。 3. 电机控制：适用于直流无刷电机驱动、电动工具及机器人控制系统中的功率开关。 4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制电路，保障电池组的安全运行。 5. 负载开关与电源管理：在便携式设备或智能配电系统中作为高效电子开关使用。 6. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源（UPS）和小型逆变器中实现直流到交流的能量转换。 综上，IRF8714PBF因其优异的性能广泛应用于电源管理、工业自动化、消费电子以及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOICMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.7mOhms 8.1nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF8714PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF8714PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 8.1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8.1 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.35 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.35 V |
| 上升时间 | 9.9 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1020pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.7 毫欧 @ 14A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 正向跨导-最小值 | 71 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf8714pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf8714pbf.spi |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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