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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH14N60P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH14N60P价格参考。IXYSIXFH14N60P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFH14N60P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFH14N60P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH14N60P是一款N沟道功率MOSFET,属于高压、高速开关应用的单管晶体管。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛应用于工业电源、通信电源和高效率AC-DC转换器中,适用于600V耐压需求的场合,具备良好的开关特性和低导通损耗。 2. 逆变器系统:常用于太阳能逆变器、UPS不间断电源及电机驱动逆变电路中,支持高频工作,有助于提升系统效率和功率密度。 3. 电机控制:适用于中等功率交流或直流电机的驱动模块,如家用电器、工业风扇和泵类设备中的功率控制单元。 4. 照明电子镇流器:在高强度放电灯(HID)、荧光灯等电子镇流器电路中作为主开关元件,实现高效稳定点亮与调光功能。 5. 感应加热设备:用于电磁炉、小型加热装置等需要高频大电流开关的场景,利用其快速开关能力和耐高温特性。 该器件具有低栅极电荷、高输入阻抗和优秀的热稳定性,适合在高温、高电压环境下长期可靠运行。同时采用TO-247封装,便于散热安装,适用于对可靠性要求较高的工业级应用。整体而言,IXFH14N60P是一款面向中高功率开关应用的高性能MOSFET,广泛服务于工业控制、能源转换和电力电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 14A TO-247MOSFET 600V 14A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH14N60PPolarHV™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFH14N60P |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 550 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 550 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 26 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 2.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 550 毫欧 @ 7A,10V |
| 产品种类 | Power MOSFETs |
| 供应商器件封装 | TO-247AD (IXFH) |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 13 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 14A (Tc) |
| 系列 | IXFH14N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |