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Datasheet下载- 型号： IRF3710SPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRF3710SPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF3710SPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF3710SPBF价格参考。International RectifierIRF3710SPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 57A（Tc） 200W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF3710SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF3710SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF3710SPBF 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。该型号广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景中，其主要应用场景包括： 1. 电源管理： IRF3710SPBF 适用于各种电源转换电路，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电池充电器等。其低导通电阻（Rds(on) 典型值为 15 mΩ @ Vgs=10V）能够有效降低功耗，提高效率。 2. 电机驱动： 该器件适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，能够提供高效的开关性能和良好的电流承载能力（最大漏极电流 Id 为 48 A @ 25°C）。 3. 负载开关： 在需要快速切换负载的应用中，IRF3710SPBF 可作为高效的负载开关，用于控制电路中的电流流动，同时减少能量损耗。 4. 逆变器和变频器： 该 MOSFET 可用于逆变器和变频器中，支持高频开关操作，适用于太阳能逆变器、家用电器调速系统等领域。 5. 保护电路： 在过流保护、短路保护等电路设计中，IRF3710SPBF 的高耐用性和快速响应特性使其成为理想选择。 6. 音频放大器： 在某些功率音频放大器中，该器件可用作输出级开关元件，提供高保真度和低失真的音频信号输出。 总结来说，IRF3710SPBF 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业设备、汽车电子以及通信设备等领域，特别适合对效率和热性能有较高要求的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 57A D2PAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 57 A |
| Id-连续漏极电流 | 57 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF3710SPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF3710SPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 3.8 W |
| Qg-GateCharge | 86.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 86.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 58 ns |
| 下降时间 | 47 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3130pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 28A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF3710SPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 200W |
| 功率耗散 | 3.8 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 23 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 86.7 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 57 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 57A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf3710s.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf3710s.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
