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Datasheet下载- 型号： STS4DNFS30
- 制造商： STMicroelectronics
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STS4DNFS30产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STS4DNFS30由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STS4DNFS30价格参考。STMicroelectronicsSTS4DNFS30封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 4.5A（Tc） 2W（Tc） 8-SO。您可以下载STS4DNFS30参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STS4DNFS30 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STS4DNFS30是一款N沟道功率MOSFET，属于高性能、低导通电阻的MOSFET器件，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流电路以及开关电源（SMPS），因其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高整体能效。 2. 电池供电设备：常见于便携式电子产品如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，用于电池保护电路和负载开关，实现低功耗与高效率运行。 3. 电机驱动：在小型电机控制应用中，如无人机、电动工具和家用电器中，STS4DNFS30可用于H桥或半桥驱动电路，提供快速开关响应和良好热稳定性。 4. 热插拔与电源开关：适合用于服务器、通信设备中的热插拔控制器，能够承受瞬态电流冲击并提供过流保护功能。 5. 汽车电子系统：尽管非车规级主推型号，但仍可用于部分车载辅助电源系统，如车灯控制、风扇驱动等低压直流控制场景。 该器件采用紧凑型封装（如PowerFLAT 3.3x3.3），具备良好的散热性能和空间利用率，适用于高密度PCB布局设计。其优化的栅极电荷和开关特性有助于减少开关损耗，提升系统效率。总体而言，STS4DNFS30适用于对效率、尺寸和可靠性有较高要求的中低功率电源应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STS4DNFS30 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | STripFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.7nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 2A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 497-6187-2 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
