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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS3672由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS3672价格参考。Fairchild SemiconductorFDS3672封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 7.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载FDS3672参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS3672 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS3672是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效、低导通电阻和小封装尺寸的电源管理场景。其主要应用场景包括: 1. 电源开关与DC-DC转换:适用于同步整流式降压(Buck)或升压(Boost)转换器,常见于笔记本电脑、平板电脑及通信设备的电源模块中,提供高效率的能量转换。 2. 负载开关与热插拔电路:凭借低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性,FDS3672可用于控制电源通断,防止浪涌电流,保护系统电路,适用于服务器、工业控制板等设备。 3. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机驱动电路中,作为开关元件,实现对电机启停和速度的精确控制,多见于家电、打印机和便携式电动工具。 4. 电池供电设备:因其低功耗和高效率,适合用于智能手机、移动电源、可穿戴设备等对空间和能效要求严格的便携式电子产品。 5. 热插拔与电源管理IC配套:常与电源管理芯片配合使用,在多路电源系统中实现分时上电控制,提升系统可靠性。 FDS3672采用紧凑型封装(如PowerPAK SO-8),具备良好的热性能和电气性能,适合高密度PCB布局。其设计兼顾了效率、尺寸与成本,是中低功率应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOICMOSFET 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS3672PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS3672 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2015pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 23 毫欧 @ 7.5A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS3672DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 37 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.5A (Ta) |
| 系列 | FDS3672 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | FDS3672_NL |