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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG2005BELD,315由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG2005BELD,315价格参考。NXP SemiconductorsPMEG2005BELD,315封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 肖特基 表面贴装 二极管 20V 500mA DFN1006-2。您可以下载PMEG2005BELD,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMEG2005BELD,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMEG2005BELD,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款低压降肖特基势垒整流二极管(单管),主要面向便携式与空间受限的高效电源应用。其典型应用场景包括: - USB供电设备:如USB-C接口的PD协议适配器、移动电源、耳机充电盒等,利用其低正向压降(典型值仅0.32 V @ 0.5 A)降低功耗与发热; - 电池供电系统:在蓝牙耳机、可穿戴设备(智能手表、TWS耳机)、IoT传感器节点中,用作电池反接保护或电源路径管理(Power Path),提升能效与续航; - DC-DC转换器输出整流:常用于同步整流难以实现的小功率Buck/Boost电路后级,替代普通二极管以减少损耗; - LDO前端或负载开关辅助电路:配合低压差稳压器,提供反向电流阻断(高反向阻断能力,VR = 20 V),防止电池倒灌; - 汽车电子辅助模块:符合AEC-Q101标准(该型号为车规级版本),适用于车载USB充电口、LED照明驱动、车身控制单元(BCM)中的低功耗整流环节。 该器件采用超小型无引脚DFN1006-2(SOD-123W)封装(尺寸仅1.0 mm × 0.6 mm),支持高密度PCB布局,并具备优异的热性能与ESD防护能力(HBM ±8 kV),特别适合对尺寸、效率与可靠性要求严苛的现代电子终端。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 0.5A SOD882肖特基二极管与整流器 20V 0.5A low VF MEGA Barrier Rectifier |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2005BELD,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG2005BELD,315 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 390mV @ 500mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | 40pF @ 1V, 1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200µA @ 20V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOD-882 |
| 其它名称 | 568-10221-6 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | 1.6ns |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-882 |
| 封装/箱体 | DFN-1006D-2 |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | 150°C (最大) |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 恢复时间 | 1.6 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大二极管电容 | 40 pF |
| 最大功率耗散 | 1135 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 50 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向连续电流 | 0.5 A |
| 热阻 | 25°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 500mA |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |