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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA441DJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA441DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA441DJ-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIA441DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA441DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIA441DJ-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于各种电子设备中作为开关或放大元件。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于笔记本电脑、智能手机、平板电脑等便携式电子设备中的电源开关和负载管理,具备低导通电阻,有助于提高能效。 2. 负载开关与热插拔控制:在服务器和通信设备中,用于控制电源的通断,防止电流冲击,保护系统稳定。 3. 马达驱动与继电器替代:在小型电机控制、电磁阀或继电器替代应用中,提供快速开关和高可靠性。 4. 电池供电系统:由于其低功耗特性,适合用于电池供电设备中,延长电池寿命。 5. 工业控制与自动化设备:如PLC、传感器模块等,用于信号控制和功率切换。 该MOSFET采用小型封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于对空间和效率有要求的现代电子设计中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 40V 12A SC-70MOSFET 40V 12A 19W 47mOhms @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 12 A |
Id-连续漏极电流 | - 12 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?63277 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA441DJ-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIA441DJ-T1-GE3SIA441DJ-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 19 W |
Pd-功率耗散 | 19 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 47 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 47 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 890pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 47 毫欧 @ 4.4A, 10V |
产品种类 | P-Channel MOSFETs |
供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
功率-最大值 | 19W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 47 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
汲极/源极击穿电压 | - 40 V |
漏极连续电流 | - 12 A |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
系列 | SIA4xxDJ |
配置 | Single |
零件号别名 | SIA441DJ-GE3 |