【晶体管 - 双极 (BJT) - 射频_BFP740H6327XTSA1】封装/厂家_BFP740H6327XTSA1中文资料_价格

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型号： BFP740H6327XTSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BFP740H6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFP740H6327XTSA1价格参考。InfineonBFP740H6327XTSA1封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount SOT-343。您可以下载BFP740H6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFP740H6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 BFP740H6327XTSA1 是一款高性能射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频、低噪声放大应用。该器件基于硅锗碳（SiGe:C）技术，具有优异的增益、低噪声系数和高线性度，适用于工作频率高达数GHz的无线通信系统。

典型应用场景包括：  
- 无线基础设施：用于蜂窝基站中的低噪声放大器（LNA）和中频放大器，支持GSM、UMTS、LTE及5G通信标准。  
- 微波点对点通信：在高频收发模块中实现信号的高保真放大。  
- 宽带通信系统：适用于需要宽频带响应的设备，如宽带无线接入和回传系统。  
- 卫星通信与雷达系统：凭借其高稳定性和高频性能，可用于低功率射频前端设计。  
- 测试与测量设备：在矢量网络分析仪、频谱仪等仪器中作为关键放大元件。

BFP740H6327XTSA1采用SOT363-6小型化封装，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性和可靠性，广泛应用于工业级环境。其出色的噪声性能（典型值约0.8 dB @ 2 GHz）和高增益（约20 dB @ 2 GHz）使其在要求严苛的射频设计中表现突出。

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