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FQP65N06产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP65N06由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP65N06价格参考。Fairchild SemiconductorFQP65N06封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 65A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB。您可以下载FQP65N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP65N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP65N06 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其典型应用场景包括但不限于以下方面: 1. 开关电源 (SMPS): FQP65N06 的高电流处理能力和低导通电阻使其非常适合用于开关电源中的功率开关,例如降压、升压或反激式转换器。它能够高效地控制电压和电流的切换,从而实现稳定的直流输出。 2. 电机驱动: 该器件适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。由于其低 Rds(on)(导通电阻),可以减少功率损耗,提高效率,同时支持快速开关以实现精确的速度和方向控制。 3. 负载开关: 在需要动态管理负载的应用中,如电池供电设备或汽车电子系统,FQP65N06 可作为高效的负载开关,提供低功耗的接通/断开功能。 4. 逆变器: 它可用于小型逆变器设计,将直流电转换为交流电,适用于太阳能微逆变器或其他便携式逆变器应用。 5. 保护电路: FQP65N06 常用于过流保护、短路保护等电路中,通过快速响应和切断异常电流路径来保护下游组件。 6. 音频放大器: 在某些 D 类音频放大器中,这款 MOSFET 可用作输出级开关元件,以实现高效率的音频信号放大。 7. LED 驱动: 对于大功率 LED 照明应用,FQP65N06 能够提供稳定的大电流驱动能力,并且保持较低的发热水平。 8. 工业自动化: 在工业控制系统中,它可用于继电器替代方案、电磁阀驱动以及其他需要高可靠性功率开关的地方。 总之,FQP65N06 凭借其出色的电气性能和耐用性,在各种需要高效功率控制和切换的应用场景中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 65A TO-220MOSFET TO-220 N-CH 60V 65A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 65 A |
Id-连续漏极电流 | 65 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP65N06QFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQP65N06 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 150 W |
Pd-功率耗散 | 150 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 160 ns |
下降时间 | 105 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2410pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16 毫欧 @ 32.5A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | FQP65N06-ND |
典型关闭延迟时间 | 90 ns |
功率-最大值 | 150W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 48 S |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 65A (Tc) |
系列 | FQP65N06 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQP65N06_NL |