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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NTBV45N06T4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTBV45N06T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTBV45N06T4G价格参考。ON SemiconductorNTBV45N06T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTBV45N06T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTBV45N06T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTBV45N06T4G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于60V、45A的高性能单MOSFET器件，广泛应用于多种电源管理与功率转换场景。其主要应用场景包括： 1. DC-DC转换器：适用于中低电压、大电流的开关电源设计，如降压（Buck）、升压（Boost）和升降压（Buck-Boost）拓扑结构，常见于服务器、通信设备和工业电源模块中。 2. 电机驱动：由于具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，该器件适合用于直流电机、步进电机及小型伺服系统的驱动电路，提升能效并减少发热。 3. 电源管理单元（PMU）：在电池供电设备（如便携式仪器、电动工具、UPS等）中作为负载开关或主控开关，实现高效能量传输与系统保护。 4. 照明电源：可用于LED驱动电源，特别是在高亮度LED照明系统中，支持稳定高效的恒流控制。 5. 热插拔与电源冗余设计：凭借快速开关特性和良好的热稳定性，适用于电信设备、网络交换机等需要热插拔功能的场合，防止浪涌电流损坏系统。 6. 汽车电子应用：符合AEC-Q101车规认证，可应用于车载电源系统、车身控制模块（如灯光控制、风扇驱动）等环境较严苛的场景。 NTBV45N06T4G采用先进的沟槽技术，在保证高效率的同时优化了开关速度与热性能，且为无铅、绿色环保封装（如DPAK），适合自动化贴装，广泛服务于工业、消费类电子及汽车领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTBV45N06T4G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1725pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 22.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 45A （Ta） |
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