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RUR040N02TL产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RUR040N02TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RUR040N02TL价格参考。ROHM SemiconductorRUR040N02TL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 4A(Ta) 1W(Ta) TSMT3。您可以下载RUR040N02TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RUR040N02TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的型号RUR040N02TL是一款N沟道增强型MOSFET,主要应用于需要高效功率转换和低导通电阻(Rds(on))的场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS): RUR040N02TL适合用于开关电源中的功率开关,尤其是在高频DC-DC转换器中。其低导通电阻特性有助于降低传导损耗,提高整体效率。 2. 电机驱动: 该MOSFET适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。它能够提供高效的开关性能,同时减少发热,确保电机运行稳定。 3. 负载切换: 在消费电子设备中,RUR040N02TL可用于负载切换应用,例如USB端口保护、电池管理或电源路径控制。其快速开关速度和低功耗特性非常适合这些场景。 4. 电池管理系统(BMS): 该器件可以作为电池充放电路径的开关,支持电池保护功能,如过流保护和短路保护,同时保持低功耗。 5. 汽车电子: 在汽车应用中,RUR040N02TL可用于车身控制模块(BCM)、LED驱动、风扇控制等场景。其高可靠性和耐热性能使其适应严苛的工作环境。 6. 便携式设备: 由于其小尺寸封装和低功耗特性,该MOSFET非常适合智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理单元。 7. 信号放大与缓冲: 在某些低频信号处理电路中,RUR040N02TL可以用作信号放大或缓冲元件,提供稳定的输出性能。 总结来说,RUR040N02TL凭借其低导通电阻、高效率和紧凑封装的特点,广泛应用于消费电子、工业设备、汽车电子和通信设备等领域,特别适合对功率效率和空间限制有较高要求的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 4A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RUR040N02TL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RUR040N02TL |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Qg-GateCharge | 8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.3 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 680pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 4A,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT3 |
| 其它名称 | RUR040N02TLCT |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TSMT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |