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FDPF5N50UT产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF5N50UT由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF5N50UT价格参考。Fairchild SemiconductorFDPF5N50UT封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 4A(Tc) 28W(Tc) TO-220F。您可以下载FDPF5N50UT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDPF5N50UT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDPF5N50UT 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号的主要应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS) FDPF5N50UT 的高电压耐受能力(额定电压为 500V)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。它能够高效地控制电路的通断状态,适用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动 在电机驱动领域,这款 MOSFET 可以用作电机的开关元件。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗,提高效率,适用于中小功率的电机控制场景,例如家用电器、工业设备或电动工具。 3. 逆变器 FDPF5N50UT 可用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,作为高频开关元件,将直流电转换为交流电。其快速开关能力和低损耗特性使其成为理想选择。 4. 电磁阀和继电器驱动 该 MOSFET 可用于驱动电磁阀或继电器等感性负载。由于其具备良好的过流保护能力和稳定性,可以确保在切换感性负载时不会损坏器件。 5. 电源管理 在电源管理系统中,FDPF5N50UT 可用于实现高效的负载开关功能。例如,在电池管理系统 (BMS) 中,它可以控制电流流向,保护电池免受过充或过放的影响。 6. 家电和消费电子 此款 MOSFET 常见于各种家用电器和消费电子产品中,如空调、冰箱、洗衣机等。它可用于调节功率输出或控制电路的开关状态,提供稳定可靠的性能。 7. 照明系统 在 LED 照明或荧光灯镇流器中,FDPF5N50UT 可作为驱动元件,用于调节亮度或实现调光功能。其高效能和可靠性可降低能耗并延长灯具寿命。 8. 汽车电子 尽管 FDPF5N50UT 不是专门针对汽车级设计,但在一些非关键的汽车电子应用中,例如车窗升降器、雨刷电机控制等,它也可以发挥作用。 总结来说,FDPF5N50UT 凭借其高电压耐受能力、低导通电阻以及快速开关特性,广泛应用于各类需要高效功率控制的场景中,尤其是在工业、消费电子和家电领域表现突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 500V TO-220F-3MOSFET 500V N-Channel FRFET, Ultra FRFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
Id-连续漏极电流 | 4 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF5N50UTFRFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FDPF5N50UT |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 28 W |
Pd-功率耗散 | 28 W |
Qg-GateCharge | 11 nC |
Qg-栅极电荷 | 11 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.65 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.65 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 21 ns |
下降时间 | 20 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 欧姆 @ 2A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
典型关闭延迟时间 | 27 ns |
功率-最大值 | 28W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.270 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,成形引线 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 4.8 S |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A (Tc) |
系列 | FDPF5N50 |