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  • 型号: FDPF5N50UT
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDPF5N50UT产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF5N50UT由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF5N50UT价格参考。Fairchild SemiconductorFDPF5N50UT封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 4A(Tc) 28W(Tc) TO-220F。您可以下载FDPF5N50UT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDPF5N50UT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDPF5N50UT 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号的主要应用场景包括:

1. 开关电源 (SMPS)  
   FDPF5N50UT 的高电压耐受能力(额定电压为 500V)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。它能够高效地控制电路的通断状态,适用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器。

2. 电机驱动  
   在电机驱动领域,这款 MOSFET 可以用作电机的开关元件。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗,提高效率,适用于中小功率的电机控制场景,例如家用电器、工业设备或电动工具。

3. 逆变器  
   FDPF5N50UT 可用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,作为高频开关元件,将直流电转换为交流电。其快速开关能力和低损耗特性使其成为理想选择。

4. 电磁阀和继电器驱动  
   该 MOSFET 可用于驱动电磁阀或继电器等感性负载。由于其具备良好的过流保护能力和稳定性,可以确保在切换感性负载时不会损坏器件。

5. 电源管理  
   在电源管理系统中,FDPF5N50UT 可用于实现高效的负载开关功能。例如,在电池管理系统 (BMS) 中,它可以控制电流流向,保护电池免受过充或过放的影响。

6. 家电和消费电子  
   此款 MOSFET 常见于各种家用电器和消费电子产品中,如空调、冰箱、洗衣机等。它可用于调节功率输出或控制电路的开关状态,提供稳定可靠的性能。

7. 照明系统  
   在 LED 照明或荧光灯镇流器中,FDPF5N50UT 可作为驱动元件,用于调节亮度或实现调光功能。其高效能和可靠性可降低能耗并延长灯具寿命。

8. 汽车电子  
   尽管 FDPF5N50UT 不是专门针对汽车级设计,但在一些非关键的汽车电子应用中,例如车窗升降器、雨刷电机控制等,它也可以发挥作用。

总结来说,FDPF5N50UT 凭借其高电压耐受能力、低导通电阻以及快速开关特性,广泛应用于各类需要高效功率控制的场景中,尤其是在工业、消费电子和家电领域表现突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 500V TO-220F-3MOSFET 500V N-Channel FRFET, Ultra FRFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4 A

Id-连续漏极电流

4 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF5N50UTFRFET®

数据手册

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产品型号

FDPF5N50UT

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

28 W

Pd-功率耗散

28 W

Qg-GateCharge

11 nC

Qg-栅极电荷

11 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.65 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.65 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

21 ns

下降时间

20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

650pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2 欧姆 @ 2A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

典型关闭延迟时间

27 ns

功率-最大值

28W

包装

管件

单位重量

2.270 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 全封装,成形引线

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

正向跨导-最小值

4.8 S

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A (Tc)

系列

FDPF5N50

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