Datasheet下载- 型号： IRFU18N15D
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU18N15D由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU18N15D价格参考。International RectifierIRFU18N15D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFU18N15D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFU18N15D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFU18N15D的晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别中的单管结构。该器件是一款N沟道增强型功率MOSFET，具有较高的开关速度和较低的导通电阻，适用于多种功率电子应用。 IRFU18N15D的主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，提供高效的能量转换，适用于通信设备、服务器电源系统等。 2. 电机控制：在直流电机驱动器和无刷电机控制系统中，作为功率开关使用，实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 照明系统：适用于LED照明驱动电路，尤其是需要调光和高效能转换的场合。 4. 汽车电子：可用于车载电源系统、车灯控制、电动助力转向系统等，满足汽车工业对可靠性和效率的高要求。 5. 消费类电子产品：如充电器、适配器、智能家电等，因其高效率和小封装特性，适合空间受限的设计。 该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，便于散热和安装，适合表面贴装工艺，具有良好的热稳定性和耐用性。其150V的漏源击穿电压和18A的连续漏极电流能力，使其在中高功率应用中表现出色。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 18A I-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFU18N15D |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 11A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | *IRFU18N15D |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
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