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产品简介:
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FDP6670AL 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于需要高效功率转换和控制的场合。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电源模块,用于高效能、高频开关操作。 2. 电机驱动:可用于工业自动化和电机控制电路中,作为功率开关元件,提供高电流承载能力和低导通电阻。 3. 负载开关:在需要控制高功率负载的系统中,如LED照明、加热元件或风扇控制,FDP6670AL可作为电子开关使用。 4. 电池供电设备:常见于笔记本电脑、电动工具和便携式设备中,用于电池充放电管理和电源切换。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、电机控制和车身控制模块,满足汽车应用中对可靠性和耐环境能力的要求。 该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(60V)和大电流承载能力(连续漏极电流可达160A),适合高效率、高功率密度的设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FDP6670AL |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | PowerTrench® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2440pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.5 毫欧 @ 40A,10V |
供应商器件封装 | TO-220 |
功率-最大值 | 68W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Ta) |