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Datasheet下载- 型号： IRLML6402TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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IRLML6402TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLML6402TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLML6402TRPBF价格参考￥0.45-￥0.60。International RectifierIRLML6402TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 20V 3.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23。您可以下载IRLML6402TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLML6402TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的IRLML6402TRPBF是一款N沟道MOSFET，属于低电压、低导通电阻的功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效开关和低功耗控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于该MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)典型值约0.035Ω）和低阈值电压，适合用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等电池供电设备中的电源管理与负载开关，有助于提升能效、延长电池续航。 2. DC-DC转换器：在同步整流型降压（Buck）或升压（Boost）转换电路中，IRLML6402TRPBF可作为开关元件，实现高效的电压转换，适用于主板、嵌入式系统及小型电源模块。 3. 电机驱动：常用于微型直流电机、步进电机的驱动控制，如打印机、扫描仪、电动玩具等消费类电子产品，因其快速开关特性和低损耗，可减少发热并提高响应速度。 4. LED驱动与照明控制：适用于LED背光或照明系统的开关控制，尤其在需要PWM调光的场合表现优异。 5. 热插拔与电源开关应用：在USB接口、电源多路复用、热插拔控制器中，作为理想的电子开关使用，具备过流保护和浪涌电流抑制能力。 6. 工业与汽车电子辅助系统：用于低功率车载设备、传感器电源控制、继电器替代等，满足AEC-Q101可靠性标准的部分要求。 综上，IRLML6402TRPBF凭借其小封装（SOT-23）、低功耗、高效率特性，特别适合空间受限、注重节能与稳定性的中低功率电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23MOSFET MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.7 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.7 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLML6402TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLML6402TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| Qg-GateCharge | 8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 633pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 3.7A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
| 其它名称 | IRLML6402PBFTR |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 功率耗散 | 1.3 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 65 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 8 nC |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 3.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.7A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlml6402.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlml6402.spi |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |
