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Datasheet下载- 型号： IRF7241PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7241PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7241PBF价格参考。International RectifierIRF7241PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7241PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7241PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7241PBF是由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的MOSFET晶体管，属于“晶体管 - FET，MOSFET - 单”类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS） IRF7241PBF适用于开关电源的设计，例如AC-DC或DC-DC转换器。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使其能够高效地处理高频开关操作，从而减少能量损耗并提高电源效率。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于小型直流电机的驱动电路中，作为功率开关来控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流承载能力和耐用性使其适合用于家用电器、电动工具等设备中的电机控制。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，IRF7241PBF可以用作功率级开关元件，将直流电转换为交流电。其出色的热性能和电气特性有助于实现高效的能量转换。 4. 电池管理系统（BMS） 该器件可以用于电池保护电路中，作为充放电路径的开关，确保电池在过流、短路或过温情况下的安全运行。其低导通电阻可减少功率损耗，延长电池寿命。 5. 负载开关 在消费电子设备（如智能手机、平板电脑或笔记本电脑）中，IRF7241PBF可用作负载开关，控制不同电路模块的供电状态，以降低功耗并优化系统性能。 6. LED驱动 该MOSFET适用于大功率LED照明系统的驱动电路，用作电流调节或开关元件。其高效率和稳定性有助于提供精确的亮度控制和节能效果。 7. 汽车电子 在汽车应用中，IRF7241PBF可用于车身控制模块（BCM）、电动窗、座椅调节、雨刷控制等场景。其坚固的设计和可靠性满足了汽车环境对高温、振动和其他严苛条件的要求。 总结 IRF7241PBF凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和绿色能源等领域。它特别适合需要高效功率转换和低损耗的场景，是许多现代电子设备中不可或缺的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOICMOSFET 1 P-CH -40V HEXFET 41mOhms 53nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 6.2 A |
| Id-连续漏极电流 | - 6.2 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7241PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7241PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 53 nC |
| Qg-栅极电荷 | 53 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 70 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 70 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 280 ns |
| 下降时间 | 100 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 41 毫欧 @ 6.2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 210 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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