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IRLR2908TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR2908TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR2908TRPBF价格参考。International RectifierIRLR2908TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 80V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak。您可以下载IRLR2908TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR2908TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies旗下的IRLR2908TRPBF是一款N沟道功率MOSFET,属于FET中的MOSFET单管产品。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高电流承载能力和优异的开关性能,广泛应用于需要高效能功率转换与控制的场景。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器中,如服务器、通信设备和工业电源模块,实现高效的电压转换。 2. 电机驱动:适用于直流电机、步进电机等驱动电路,常见于电动工具、家用电器和工业自动化设备中,提供快速响应和低功耗控制。 3. 电池供电系统:在便携式设备、笔记本电脑和移动电源中用于负载开关或电源切换,提升能效并延长电池续航。 4. 照明控制:用于LED驱动电源,支持恒流输出和调光功能,广泛应用于商业和工业LED照明系统。 5. 汽车电子辅助系统:虽非车规级主控器件,但可用于车载充电器、车载逆变器等非核心电源模块中。 IRLR2908TRPBF采用TO-252(DPAK)封装,便于散热和焊接,适合中高功率密度设计。其高可靠性与稳定性使其在工业、消费类及部分车载周边领域广受欢迎。使用时需注意栅极驱动电压匹配与PCB散热设计,以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 30A DPAKMOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 28mOhms 22nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 39 A |
| Id-连续漏极电流 | 39 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR2908TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR2908TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 120 W |
| Pd-功率耗散 | 120 W |
| Qg-GateCharge | 22 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1890pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 28 毫欧 @ 23A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRLR2908TRPBFCT |
| 功率-最大值 | 120W |
| 功率耗散 | 120 W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 30 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 22 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 80 V |
| 漏极连续电流 | 39 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlr2908.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlr2908.spi |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |