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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRF3704ZSTRLPBF的MOSFET,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别,是一款高性能的N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,因其低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,有助于提高电源效率并减少发热。 2. 电机控制:适用于电机驱动电路,如直流电机、步进电机的控制,提供快速开关响应和良好的热稳定性。 3. 负载开关:在电池供电设备中作为负载开关使用,实现对不同模块的电源控制,延长电池寿命。 4. 汽车电子:由于英飞凌在汽车半导体领域的优势,该MOSFET也适用于汽车环境中的电源控制、车身电子系统等。 5. 工业自动化:用于工业控制系统中的功率开关,如PLC、伺服驱动器等设备。 该MOSFET采用TO-262封装,具有良好的散热性能,适合中高功率应用。此外,其逻辑电平栅极驱动特性使其可直接与微控制器或数字电路连接,简化设计。 总结来说,IRF3704ZSTRLPBF是一款适用于电源转换、电机控制、汽车电子和工业自动化等领域的高性能功率MOSFET。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF3704ZSTRLPBF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.55V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1220pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.9 毫欧 @ 21A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 57W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 67A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf3704zsl.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf3704zsl.spi |