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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTT69N30P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTT69N30P价格参考。IXYSIXTT69N30P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTT69N30P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTT69N30P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTT69N30P是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效能功率开关的场合。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电源模块,因其高耐压(300V)和大电流能力(69A),可实现高效的能量转换。 2. 电机驱动:用于直流电机、步进电机或伺服电机的驱动电路中,具备快速开关特性,有助于提升响应速度与控制精度。 3. 逆变器系统:在太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中作为功率开关,实现直流电到交流电的高效转换。 4. 工业自动化:在工业控制系统中用于负载开关、继电器替代、加热元件控制等,具备高可靠性和长使用寿命。 5. 汽车电子:适用于汽车中的电动助力转向、车载充电系统、电池管理系统(BMS)等高要求环境。 该MOSFET采用TO-247封装,便于散热,适合高功率密度设计。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高系统效率。适用于需要高效率、高稳定性和高频率开关操作的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 300V 69A TO-268MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 69 A |
Id-连续漏极电流 | 69 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTT69N30PPolarHT™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXTT69N30P |
Pd-PowerDissipation | 500 W |
Pd-功率耗散 | 500 W |
Qg-GateCharge | 156 nC |
Qg-栅极电荷 | 156 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 49 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 49 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 25 ns |
下降时间 | 27 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4960pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 49 毫欧 @ 500mA,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-268 |
典型关闭延迟时间 | 75 ns |
功率-最大值 | 500W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 4.500 g |
商标 | IXYS |
商标名 | PolarHT |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
封装/箱体 | TO-268-2 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 30 S |
漏源极电压(Vdss) | 300V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 69A (Tc) |
系列 | IXTT69N30 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |