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Datasheet下载- 型号： DMN10H220L-7
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN10H220L-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN10H220L-7价格参考。Diodes Inc.DMN10H220L-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 1.4A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-23。您可以下载DMN10H220L-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN10H220L-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DMN10H220L-7 是一款N沟道MOSFET，属于单MOSFET器件，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率特性。该型号广泛应用于对空间和能效要求较高的便携式电子设备与电源管理系统中。 主要应用场景包括： 1. 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源开关和负载管理，得益于其小尺寸封装（如DFN1006）和低功耗表现。 2. 电池供电系统：用于电池保护电路或充放电控制，有效降低能量损耗，延长电池续航时间。 3. 电源管理模块：在DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）及负载开关电路中作为高效开关元件，提升整体转换效率。 4. LED驱动电路：适用于小型LED背光或指示灯的开关控制，响应速度快，控制精度高。 5. 消费类电子与物联网设备：如无线传感器、智能家居终端等，满足高集成度和低静态电流的设计需求。 DMN10H220L-7凭借其优异的热性能和可靠性的表现，在紧凑型高密度PCB设计中具有显著优势，是现代低电压、低功耗应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | DMN10H220L-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 401pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 220 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | DMN10H220L-7DIDKR |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.4A （Ta） |
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