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  • 型号: NTUD3170NZT5G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTUD3170NZT5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTUD3170NZT5G价格参考。ON SemiconductorNTUD3170NZT5G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 220mA 125mW 表面贴装 SOT-963。您可以下载NTUD3170NZT5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTUD3170NZT5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963MOSFET 20V Trench N-Channel

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

220 mA

Id-连续漏极电流

220 mA

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTUD3170NZT5G-

数据手册

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产品型号

NTUD3170NZT5G

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

200 mW

Pd-功率耗散

200 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.8 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

2.8 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

25.5 nd

下降时间

80 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

12.5pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-963

其它名称

NTUD3170NZT5GOSDKR

典型关闭延迟时间

142 ns

功率-最大值

125mW

功率耗散

200 mW

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

2.8 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

SOT-963

封装/箱体

SOT-963-6

工厂包装数量

8000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

0.48 S

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

220 mA

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

220mA

系列

NTUD3170NZ

通道模式

Enhancement

配置

Dual

闸/源击穿电压

+/- 8 V

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