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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD5N30TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD5N30TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD5N30TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQD5N30TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD5N30TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD5N30TM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是该型号的应用场景分析: 1. 开关电源(SMPS) FQD5N30TM 的高电压耐受能力(额定 VDS = 30V)和低导通电阻(RDS(on) 典型值为 0.026 Ω)使其非常适合用于开关电源电路中的高频开关应用。它可以作为功率级开关,用于 DC-DC 转换器或 AC-DC 适配器中。 2. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,FQD5N30TM 可用作功率开关或 H 桥电路的一部分。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高效率,同时支持快速开关操作以实现精确的速度和方向控制。 3. 负载开关 该 MOSFET 可用于各种电子设备中的负载开关应用,例如便携式设备、消费电子产品等。通过控制栅极电压,可以实现对负载的快速开启和关闭,同时保持较低的功耗。 4. 电池管理 在电池供电系统中,FQD5N30TM 可用于保护电路,防止过流、短路或反向电流问题。此外,它还可以用作电池充放电路径的开关元件,确保系统的安全运行。 5. LED 驱动 对于大功率 LED 照明应用,FQD5N30TM 可用作恒流源中的开关元件。通过 PWM 控制,可以调节 LED 的亮度,同时保持高效能和稳定性。 6. 信号放大与缓冲 在某些低频信号处理电路中,FQD5N30TM 可用作信号放大或缓冲器件,提供足够的驱动能力以满足后续电路的需求。 7. 汽车电子 由于其坚固的设计和良好的电气性能,FQD5N30TM 还适用于汽车电子中的简单开关任务,例如座椅调节、车窗升降或其他辅助功能的控制。 总之,FQD5N30TM 凭借其优异的电气特性、紧凑的封装(如 SOT-23 或其他小型封装),在消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域具有广泛的应用潜力。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQD5N30TM |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 430pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 900 毫欧 @ 2.2A,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 300V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.4A (Tc) |