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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SUP90N06-6M0P-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUP90N06-6M0P-E3价格参考。VishaySUP90N06-6M0P-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SUP90N06-6M0P-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUP90N06-6M0P-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUP90N06-6M0P-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电源适配器中,实现高效能和高频率的功率转换。 2. 电机控制:适用于电动工具、电动车和工业电机驱动系统,提供快速开关和低导通损耗。 3. 负载开关与继电器替代:在自动化设备和工业控制系统中,作为高可靠性开关替代机械继电器。 4. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制,具备低导通电阻,有助于提高能效和降低发热。 5. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中,用于功率调节和电能转换。 6. 汽车电子:支持车载充电系统、车身控制模块和电动助力转向系统等应用,具备高可靠性和耐压能力。 该器件具备低导通电阻、高开关速度和坚固耐用的封装,适合高效率、高密度功率设计的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 90A TO220ABMOSFET 60V 90A 272W 6.0mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 53 A |
Id-连续漏极电流 | 53 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUP90N06-6m0P-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SUP90N06-6m0P-E3SUP90N06-6M0P-E3 |
Pd-PowerDissipation | 3.75 W |
Pd-功率耗散 | 272 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4700pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 毫欧 @ 20A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | * |
其它名称 | SUP90N06-6M0P-E3DKR |
典型关闭延迟时间 | 25 ns |
功率-最大值 | 3.75W |
包装 | * |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 5 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 53 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 90A (Tc) |
系列 | SUP90Nxx |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |