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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFT50N30Q3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFT50N30Q3价格参考。IXYSIXFT50N30Q3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFT50N30Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFT50N30Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS的IXFT50N30Q3是一款功率MOSFET晶体管,主要应用于需要高效、高电压和电流控制的电力电子系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压(300V)和良好的热稳定性,适用于多种工业和能源管理场景。 典型应用场景包括: 1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和开关电源(SMPS),用于提高能效和减小体积。 2. 电机驱动系统:用于工业自动化、伺服电机或步进电机控制,提供快速开关响应和稳定输出。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中作为核心开关元件,实现高效的能量转换。 4. 充电设备:如电动汽车充电桩、电池充电管理系统等,支持大电流充放电控制。 5. 照明系统:用于LED路灯或高压气体放电灯的电子镇流器中,提升调光精度和系统寿命。 其优异的性能使其在高可靠性要求的工业控制、新能源和通信电源领域广泛应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 300V 50A TO-268MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
Id-连续漏极电流 | 50 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFT50N30Q3HiPerFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFT50N30Q3 |
Pd-PowerDissipation | 690 W |
Pd-功率耗散 | 690 W |
Qg-GateCharge | 65 nC |
Qg-栅极电荷 | 65 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 250 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 6.5V @ 4mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3165pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 80 毫欧 @ 25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-268 |
功率-最大值 | 690W |
包装 | 管件 |
商标 | IXYS |
商标名 | HiPerFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 80 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
封装/箱体 | TO-268-2 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 30 |
汲极/源极击穿电压 | 300 V |
漏极连续电流 | 50 A |
漏源极电压(Vdss) | 300V |
特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-class-hiperfet-power-mosfet/1012 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |
系列 | IXFT50N30 |
配置 | Single |