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  • 型号: FQU1N80TU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQU1N80TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU1N80TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU1N80TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQU1N80TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQU1N80TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQU1N80TU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):适用于AC/DC和DC/DC转换器,作为主开关器件,实现高效能电能转换。  
2. 电机驱动:用于直流电机或步进电机的控制电路中,提供快速开关和低导通损耗。  
3. LED照明驱动:在高亮度LED电源系统中,作为恒流控制开关,提升能效与稳定性。  
4. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制电路,实现高效能能量管理。  
5. 消费类电子产品:如电视、机顶盒、电源适配器等设备中的功率开关。  

该器件具备低导通电阻、高耐压(800V)及良好热性能,适合高效率、小体积设计需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 800V 1A IPAKMOSFET 800V Single

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1 A

Id-连续漏极电流

1 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQU1N80TUQFET®

数据手册

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产品型号

FQU1N80TU

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

20 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

20 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

25 ns

下降时间

25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

195pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7.2nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

20 欧姆 @ 500mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

典型关闭延迟时间

15 ns

功率-最大值

2.5W

包装

管件

单位重量

343.080 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

20 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

70

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

70

正向跨导-最小值

0.75 S

汲极/源极击穿电压

800 V

漏极连续电流

1 A

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1A (Tc)

系列

FQU1N80

通道模式

Enhancement

配置

Single

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