【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FDD6690A】封装/厂家_FDD6690A中文资料_价格

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型号： FDD6690A
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6690A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6690A价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6690A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta），46A（Tc） 3.3W（Ta），56W（Tc） D-PAK（TO-252AA）。您可以下载FDD6690A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD6690A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDD6690A是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款器件在多种应用场景中具有广泛的应用，特别是在需要高效能、低功耗和高可靠性的电路设计中。

 主要应用场景：

1. 电源管理：
   FDD6690A常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）等电源管理系统。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其能够在高频开关应用中保持较低的功率损耗，提高整体效率。此外，它还适用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备的电源适配器。

2. 电机驱动：
   在小型电机驱动应用中，如无刷直流电机（BLDC）、步进电机等，FDD6690A可以作为驱动电路中的开关元件。其快速开关特性和低导通电阻有助于减少发热，延长电机的使用寿命，并提高系统的响应速度。

3. 消费电子产品：
   该MOSFET广泛应用于各种消费电子产品中，如智能手机、智能手表、智能家居设备等。这些产品通常要求紧凑的设计和高效的电源管理，FDD6690A的小封装和高性能正好满足这些需求。

4. 工业控制：
   在工业自动化和控制系统中，FDD6690A可用于继电器替代、信号隔离、负载切换等功能。其坚固耐用的特性使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作，确保系统的可靠性和安全性。

5. 汽车电子：
   汽车行业中，FDD6690A可用于车身控制模块（BCM）、电动助力转向系统（EPS）、LED驱动等应用。其符合AEC-Q101标准，具备良好的抗电磁干扰能力和宽温度范围适应性，适合汽车级应用。

 总结：
FDD6690A凭借其出色的电气性能和可靠性，在电源管理、电机驱动、消费电子产品、工业控制和汽车电子等多个领域都有广泛应用。其低导通电阻、快速开关速度以及紧凑的封装形式，使得它成为许多高效能电路设计的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V 12A DPAKMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	46 A
Id-连续漏极电流	46 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD6690APowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDD6690A
Pd-PowerDissipation	3.3 W
Pd-功率耗散	3.3 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	12 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	12 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	7 ns
下降时间	12 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1230pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	18nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	12 毫欧 @ 12A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D-Pak
其它名称	FDD6690ATR
典型关闭延迟时间	29 ns
功率-最大值	1.5W
包装	带卷（TR）
单位重量	260.370 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	2,500
正向跨导-最小值	47 S
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	12A （Ta）， 46A （Tc）
系列	FDD6690
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	FDD6690A_NL