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FDV302P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDV302P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDV302P价格参考。Fairchild SemiconductorFDV302P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 25V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23。您可以下载FDV302P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDV302P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的FDV302P是一款P沟道增强型MOSFET,属于小信号MOSFET类别,广泛应用于低电压、低功耗的电子电路中。其主要应用场景包括便携式电子设备和电池供电系统,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,常用于电源管理中的开关控制,例如负载开关、电源通断控制和电池保护电路。 由于FDV302P具有较低的导通电阻(RDS(on))和较小的封装(如SOT-23),适合在空间受限的高密度PCB设计中使用。它也常用于电平转换电路,配合N沟道MOSFET实现逻辑信号的高低压转换,适用于数字电路接口,如微控制器与外围器件之间的信号匹配。 此外,该器件还适用于各类小型电源管理系统,如DC-DC转换器的同步整流或反向电流阻断,以及LED驱动电路中的开关控制。因其响应速度快、功耗低,也适合用于需要频繁开关操作的节能应用。 总之,FDV302P凭借其小型化、低功耗和高可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子中的辅助电源控制等领域,是现代低功耗电子产品中常用的开关元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23MOSFET Digital FET P-Ch |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 mA |
| Id-连续漏极电流 | 120 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDV302P- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDV302P |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.35 W |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 8 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.31nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 欧姆 @ 200mA,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | FDV302PCT |
| 典型关闭延迟时间 | 9 ns |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.135 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120mA (Ta) |
| 系列 | FDV302P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDV302P_NL |