Datasheet下载- 型号： ZXMNS3BM832TA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMNS3BM832TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMNS3BM832TA价格参考。Diodes Inc.ZXMNS3BM832TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMNS3BM832TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMNS3BM832TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMNS3BM832TA 是由 Diodes 公司生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET，主要应用于需要高效功率控制的场景。该器件采用 8-SOIC 封装，具备较低的导通电阻（Rds(on)），能够在中等功率条件下实现高效的开关操作。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、负载开关或电池供电设备中的功率开关，实现对电源的高效控制。 2. 电机控制：在小型电机或风扇控制电路中作为开关元件，用于调节电机启停或转速。 3. 负载开关：用于智能负载管理，如工业控制设备或嵌入式系统中，控制外围设备的供电。 4. 保护电路：作为高边开关用于过流保护、热插拔电路或电源冗余系统中。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、LED 照明控制或车身控制模块，因其封装小巧且可靠性较高。 6. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板、智能家电等设备中用于电源切换或功率调节。 该 MOSFET 的低导通电阻和小型封装使其在空间受限和效率要求较高的应用中表现出色，适合用于中低功率的开关控制场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | ZXMNS3BM832TA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 314pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-MLP，MicroFET（3x2） |
| 其它名称 | ZXMNS3BM832DKR |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-MLP |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
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