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  • 型号: FDMS030N06B
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS030N06B由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS030N06B价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS030N06B封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 22.1A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6)。您可以下载FDMS030N06B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS030N06B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Depletion

描述

MOSF N CH 60V 22.1A POWER56MOSFET NCh 80V 120A 5.3mOhm PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS030N06BPowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDMS030N06B

Pd-PowerDissipation

104 W

Pd-功率耗散

104 W

Qg-GateCharge

75 nC

Qg-栅极电荷

75 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.4 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.4 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3.3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3.3 V

上升时间

20 ns

下降时间

16 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7560pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

75nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3 毫欧 @ 50A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-PQFN(5X6),Power56

其它名称

FDMS030N06BDKR

典型关闭延迟时间

52 ns

功率-最大值

2.5W

包装

Digi-Reel®

单位重量

90 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

2.4 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

Power-56-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

119 S

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

100 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

22.1A (Ta), 100A (Tc)

系列

FDMS030N06B

通道模式

Depletion

配置

Single Quad Drain Triple Source

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