ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IXTN210P10T
Datasheet下载- 型号： IXTN210P10T
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTN210P10T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTN210P10T价格参考。IXYSIXTN210P10T封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 底座安装 P 沟道 100V 210A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B。您可以下载IXTN210P10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTN210P10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXTN210P10T是IXYS公司生产的单个FET（场效应晶体管）MOSFET，广泛应用于多种电力电子设备和系统中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源 IXTN210P10T常用于开关电源中的功率转换电路，如DC-DC转换器、AC-DC转换器等。它能够高效地控制电流的通断，减少能量损耗，提高电源效率。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，特别适用于需要高效率和低功耗的应用场景。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，IXTN210P10T可以作为功率级的一部分，用于控制电机的启动、停止和速度调节。它能够承受较高的电流和电压波动，确保电机在不同负载条件下的稳定运行。此外，MOSFET的快速开关特性使得它可以实现精确的PWM（脉宽调制）控制，从而提高电机的响应速度和控制精度。 3. 逆变器 IXTN210P10T也适用于光伏逆变器、UPS（不间断电源）等设备中。它可以在直流到交流的转换过程中起到关键作用，帮助实现高效的能量转换。由于其良好的耐压特性和低损耗，能够在高频工作条件下保持稳定的性能，适合长时间连续运行的应用。 4. 电池管理系统 在电动汽车、储能系统等电池管理应用中，IXTN210P10T可用于电池充放电控制电路中。它可以精确控制电流的流向，防止过充、过放等问题，保护电池的安全和寿命。同时，MOSFET的低导通电阻有助于减少发热，提高系统的整体能效。 5. 工业自动化 IXTN210P10T还可以应用于工业自动化设备中的各种控制电路，如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口等。它能够承受较大的电流冲击，并且具有良好的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境下的稳定工作。 总之，IXTN210P10T凭借其优异的电气特性，在多个领域都有着广泛的应用前景，尤其适合对效率、可靠性和性能有较高要求的电力电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227分立半导体模块 TrenchP Channel Power MOSFETs |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 分立半导体模块,IXYS IXTN210P10TTrenchP™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTN210P10T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 上升时间 | 98 ns |
| 下降时间 | 55 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 69500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 740nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 105A, 10V |
| 产品种类 | 分立半导体模块 |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 典型关闭延迟时间 | 165 ns |
| 功率-最大值 | 830W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | TrenchP |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | Screw |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227-4 |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10 |
| 正向跨导-最小值 | 90 s |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 210A |
| 类型 | TrenchP Power MOSFET |
| 系列 | IXTN210P10 |
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