ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > SI1922EDH-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI1922EDH-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1922EDH-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1922EDH-T1-GE3价格参考。VishaySI1922EDH-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 1.3A 1.25W 表面贴装 SC-70-6（SOT-363）。您可以下载SI1922EDH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1922EDH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1922EDH-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET阵列，采用双通道配置，适用于需要高效率电源管理与信号切换的便携式电子设备。该器件常用于电池供电系统，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源开关与负载管理模块。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功耗，提升能效，特别适合对节能要求高的应用。 SI1922EDH-T1-GE3 还广泛应用于DC-DC转换器中的同步整流电路，以及电压反转或电平转换电路中，提供快速响应和稳定性能。由于其小型化封装（如SOT-457），节省PCB空间，适合高密度布局设计。此外，该MOSFET阵列也常见于热插拔控制、LED驱动电路及各类电源多路复用场景。 其高可靠性与稳定的温度特性使其在消费类电子、工业控制和通信设备中均有良好表现，尤其适合在有限散热条件下工作的环境。总体而言，SI1922EDH-T1-GE3 凭借其高性能与紧凑设计，成为现代低电压、低功耗电子系统中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1922EDH-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 198 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 （SOT-363） |
| 其它名称 | SI1922EDH-T1-GE3TR |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.3A |
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