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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF4905STRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF4905STRLPBF价格参考¥4.58-¥4.58。International RectifierIRF4905STRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 55V 42A(Tc) 170W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF4905STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF4905STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF4905STRLPBF 是一款P沟道功率MOSFET,属于晶体管中的FET(场效应晶体管)类别。该器件采用先进的沟槽栅技术,具有低导通电阻(RDS(on)),适用于高电流开关应用。 IRF4905STRLPBF 主要应用于电源管理领域,常见于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源逆变器等电路中。由于其P沟道特性,常用于高端开关配置,可替代传统的N沟道MOSFET在某些简化驱动设计的场合,提升系统效率与可靠性。 该型号广泛用于消费类电子产品(如笔记本电脑、平板电源管理)、工业控制设备、电池供电系统以及汽车电子中的辅助电源模块。其小型化封装(如TO-252)有助于节省PCB空间,适合对散热和空间布局要求较高的紧凑型设计。 此外,IRF4905STRLPBF 符合RoHS标准,无铅环保,具备良好的热稳定性和耐用性,能够在较宽温度范围内稳定工作,适用于对可靠性和能效有较高要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 42A D2PAKMOSFET MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 70 A |
| Id-连续漏极电流 | - 70 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF4905STRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF4905STRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 170 W |
| Pd-功率耗散 | 170 W |
| Qg-GateCharge | 180 nC |
| Qg-栅极电荷 | 180 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4 V |
| 上升时间 | 99 ns |
| 下降时间 | 64 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 42A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRF4905STRLPBFCT |
| 功率-最大值 | 170W |
| 功率耗散 | 170 W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 20 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 栅极电荷Qg | 180 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 19 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 55 V |
| 漏极连续电流 | - 70 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
| 配置 | Single |