ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > FMMT417TD
Datasheet下载- 型号： FMMT417TD
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FMMT417TD由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMMT417TD价格参考。Diodes Inc.FMMT417TD封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 雪崩模式 100V 500mA 40MHz 330mW 表面贴装 SOT-23-3。您可以下载FMMT417TD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FMMT417TD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FMMT417TD是Diodes Incorporated生产的一款表面贴装NPN型双极结型晶体管（BJT），属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。其主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：常用于DC-DC转换器、电压调节模块中的开关控制，适用于便携式设备和电源管理系统。 2. LED驱动电路：作为开关元件，用于控制LED的亮灭，在照明系统和背光驱动中表现稳定。 3. 信号放大：在低频模拟电路中用作小信号放大器，如音频前置放大或传感器信号调理电路。 4. 逻辑驱动与接口电路：用于微控制器与高负载（如继电器、电机）之间的接口，实现电平转换和电流放大。 5. 消费类电子产品：广泛应用于手机、平板、智能家居设备等小型化电子产品中，因其SOT-23封装节省空间，适合高密度PCB布局。 6. 工业控制：在各类自动控制系统中作为电子开关使用，例如驱动继电器、电磁阀等执行元件。 FMMT417TD具有较高的增益和开关速度，最大集电极电流可达500mA，耐压值VCEO为80V，适合中低压应用环境。其优良的热稳定性和可靠性使其在多种工作条件下均能保持性能稳定，是电子设计中常用的通用型晶体管之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR AVALANCHE NPN SOT23-3两极晶体管 - BJT NPN Avalanche |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FMMT417TD- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FMMT417TD |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 25 @ 10mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | FMMT417TD-ND |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 330mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 40 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN 雪崩模式 |
| 最大功率耗散 | 330 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 25 at 10 mA at 10 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 at 10 mA at 10 V |
| 系列 | FMMT417 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 320 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 40MHz |
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