ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > NTR4101PT1G
Datasheet下载- 型号： NTR4101PT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTR4101PT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTR4101PT1G价格参考。ON SemiconductorNTR4101PT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 1.8A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载NTR4101PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTR4101PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTR4101PT1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道MOSFET，属于单功率MOSFET器件。该型号采用SOT-223封装，具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能的特点，适用于多种中低功率电源管理与开关控制场景。 其典型应用场景包括：便携式电子设备中的电源开关，如智能手机、平板电脑和移动电源中的负载开关或电池管理电路；各类消费类电子产品中的DC-DC转换器，用于提升电源效率；LED驱动电路中作为恒流控制或开关元件；以及小型电机驱动、继电器驱动等工业控制应用。此外，因其具备良好的可靠性和符合RoHS环保要求，也广泛用于家电控制模块、电源适配器和充电器中。 由于NTR4101PT1G具有较高的耐压（VDS=60V）和持续漏极电流能力（ID=5.6A），在需要高效能、小体积设计的场合表现出色，特别适合空间受限但对功耗敏感的设计。同时，其增强型栅极结构使其可直接由逻辑电平驱动，便于与微控制器或数字信号处理器接口连接。 综上所述，NTR4101PT1G是一款适用于电源管理、开关控制和转换应用的通用型N沟道MOSFET，广泛用于消费电子、工业控制和电源系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23MOSFET -20V -3.2A P-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.2 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.2 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTR4101PT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTR4101PT1G |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.73 W |
| Pd-功率耗散 | 730 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 112 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 112 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 12.6 ns |
| 下降时间 | 12.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 675pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | NTR4101PT1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 30.2 ns |
| 功率-最大值 | 420mW |
| 功率耗散 | 0.73 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 112 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 7.5 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 3.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.8A （Ta） |
| 系列 | NTR4101P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 8 V |
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