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型号： NTZD3155CT5G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTZD3155CT5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTZD3155CT5G价格参考。ON SemiconductorNTZD3155CT5G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 540mA，430mA 250mW 表面贴装 SOT-563。您可以下载NTZD3155CT5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTZD3155CT5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTZD3155CT5G 是一款由 ON Semiconductor 生产的晶体管阵列，具体为 MOSFET 阵列。该型号的应用场景非常广泛，主要应用于需要高效开关和功率管理的电子设备中。

 主要应用场景：

1. 电源管理：
   - NTZD3155CT5G 常用于各种电源管理系统，如 DC-DC 转换器、线性稳压器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在这些应用中能够有效减少功率损耗，提高转换效率。
   
2. 电池管理系统 (BMS)：
   - 在电池管理系统中，MOSFET 阵列可以用于电池充放电控制、过流保护、短路保护等功能。NTZD3155CT5G 的高可靠性和低功耗特性使其成为理想选择。

3. 电机驱动：
   - 该器件可用于小型电机驱动电路，如步进电机、直流电机等。通过精确控制电流和电压，确保电机运行平稳、高效，并且能够实现快速响应。

4. 负载开关：
   - 在负载开关应用中，NTZD3155CT5G 可以用作高速开关，控制不同负载之间的电源分配。其快速切换能力和低导通电阻有助于减少能量损失，延长系统寿命。

5. 信号调理与保护：
   - 在信号调理电路中，MOSFET 阵列可以用于隔离敏感信号路径，防止电磁干扰或过压损坏其他元件。同时，在某些情况下，它还可以用于过流保护，确保整个系统的安全性。

6. 消费电子产品：
   - 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，NTZD3155CT5G 可用于电源管理模块、充电电路以及音频放大器等关键部位，提供高效的电力传输和保护功能。

7. 工业自动化：
   - 在工业自动化领域，该器件适用于各种控制系统中的开关操作，如可编程逻辑控制器 (PLC)、传感器接口等，确保系统的稳定性和可靠性。

总之，NTZD3155CT5G 凭借其出色的性能参数和广泛应用范围，成为众多电子设备中不可或缺的关键组件之一。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT-563MOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	N 和 P 沟道
Id-ContinuousDrainCurrent	540 mA
Id-连续漏极电流	540 mA
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTZD3155CT5G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	NTZD3155CT5G
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	0.25 W
Pd-功率耗散	250 mW
RdsOn-Drain-SourceResistance	550 mOhms at 4.5 V at N Channel, 900 mOhms at 4.5 V at P Channel
RdsOn-漏源导通电阻	550 mOhms, 900 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 6 V
Vgs-栅源极击穿电压	6 V
上升时间	4 ns, 12 ns
下降时间	4 ns, 12 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	150pF @ 16V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	2.5nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	550 毫欧 @ 540mA，4.5V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	SOT-563
典型关闭延迟时间	16 ns, 35 ns
功率-最大值	250mW
包装	带卷（TR）
商标	ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	550 mOhms at 4.5 V at N Channel, 900 mOhms at 4.5 V at P Channel
封装	Reel
封装/外壳	SOT-563，SOT-666
封装/箱体	SOT-563-6
工厂包装数量	8000
晶体管极性	N and P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	8,000
汲极/源极击穿电压	+/- 20 V
漏极连续电流	540 mA
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	540mA，430mA
通道模式	Enhancement
配置	Complementary