【晶体管 - FET，MOSFET - 单_CSD17551Q3A】封装/厂家_CSD17551Q3A中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD17551Q3A

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： CSD17551Q3A
制造商： Texas Instruments
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

CSD17551Q3A产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD17551Q3A由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD17551Q3A价格参考。Texas InstrumentsCSD17551Q3A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 12A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount 8-SON (3.3x3.3)。您可以下载CSD17551Q3A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD17551Q3A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CSD17551Q3A是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款N沟道MOSFET，采用1.2mm × 1.2mm DFN封装，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能。该器件主要适用于对空间和效率要求较高的电源管理场景。

典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的负载开关和电源切换，用于高效控制不同功能模块的供电；在同步降压转换器中作为高边或低边开关，提升DC-DC转换效率；还可用于电池管理系统（BMS）、USB电源开关及过流保护电路中，实现快速响应与低功耗运行。

其小尺寸封装特别适合高密度PCB布局，有助于缩小整体系统体积。同时，低栅极电荷和低输入电容使其在高频开关应用中表现优异，减少开关损耗，提高能效。此外，该MOSFET具备良好的热性能，可在较宽温度范围内稳定工作，适用于工业控制、消费类电子及物联网终端等环境。

综上，CSD17551Q3A凭借小型化、高效率和高可靠性的特点，广泛应用于移动设备电源管理、低压DC-DC转换及各类紧凑型电子系统中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 30V 12A 8VSONMOSFET 30V N-Chnl MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	48 A
Id-连续漏极电流	48 A
品牌	Texas Instruments
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
产品系列	晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD17551Q3ANexFET™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	CSD17551Q3A
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2.6 W
Pd-功率耗散	2.6 W
Qg-GateCharge	6 nC
Qg-栅极电荷	6 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	9.6 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	11.8 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.1 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.6 V
上升时间	24 ns
下降时间	3.4 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1370pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	7.8nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	9 毫欧 @ 11A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SON（3.3x3.3）
其它名称	296-35025-1
典型关闭延迟时间	12 ns
制造商产品页	http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD17551Q3A
功率-最大值	2.6W
包装	剪切带（CT）
商标	Texas Instruments
商标名	NexFET
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-VSON 裸露焊盘
封装/箱体	VSON-8 FET
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	101 S
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	12A（Tc）
系列	CSD17551Q3A
配置	Single