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FQP13N10产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP13N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP13N10价格参考。Fairchild SemiconductorFQP13N10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 12.8A(Tc) 65W(Tc) TO-220-3。您可以下载FQP13N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP13N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP13N10 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。以下是其典型应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - FQP13N10 的耐压为 100V,导通电阻低至 0.25Ω(在 Vgs=10V 时),非常适合用于开关电源中的功率开关。例如,在降压、升压或反激式转换器中,作为主开关管来控制电流的通断。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中,FQP13N10 可用作驱动电路中的功率开关。通过 PWM(脉宽调制)信号控制其开关状态,调节电机速度和方向。 3. 负载切换 - 用于负载切换电路中,例如汽车电子系统中的继电器替代方案。FQP13N10 能够快速响应并提供低损耗的电流路径,同时避免机械继电器的磨损问题。 4. 逆变器电路 - 在小型逆变器应用中,FQP13N10 可以用作逆变桥臂的一部分,将直流电转换为交流电。其高开关速度和低导通电阻有助于提高效率。 5. 电池保护与管理 - 在电池管理系统(BMS)中,FQP13N10 可用作电池充放电路径的开关,确保过流、短路或过压情况下的安全切断。 6. LED 驱动 - 用于大功率 LED 照明电路中,通过 PWM 控制调节 LED 的亮度。其低导通电阻特性可以减少发热,提高整体效率。 7. 音频放大器 - 在 Class-D 音频放大器中,FQP13N10 可作为输出级开关管,实现高效的音频信号放大。 8. 工业自动化 - 在工业控制系统中,用于驱动电磁阀、继电器或小型执行器等负载,提供可靠的开关功能。 特性总结 - 耐压:100V,适用于中低压应用场景。 - 电流能力:连续漏极电流可达 13A(Tc=25°C),满足大多数中小功率需求。 - 低导通电阻:降低功耗,提高效率。 - 快速开关性能:适合高频开关应用。 总之,FQP13N10 凭借其高性能参数和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220MOSFET N-CH/100V/12.8A 0.18OHM |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 12.8 A |
Id-连续漏极电流 | 12.8 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP13N10QFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQP13N10 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 65 W |
Pd-功率耗散 | 65 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 55 ns |
下降时间 | 25 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 6.4A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
功率-最大值 | 65W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 6.8 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12.8A (Tc) |
系列 | FQP13N10 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQP13N10_NL |