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  • 型号: FQP13N10
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQP13N10产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP13N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP13N10价格参考。Fairchild SemiconductorFQP13N10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 12.8A(Tc) 65W(Tc) TO-220-3。您可以下载FQP13N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP13N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP13N10 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。以下是其典型应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - FQP13N10 的耐压为 100V,导通电阻低至 0.25Ω(在 Vgs=10V 时),非常适合用于开关电源中的功率开关。例如,在降压、升压或反激式转换器中,作为主开关管来控制电流的通断。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机驱动中,FQP13N10 可用作驱动电路中的功率开关。通过 PWM(脉宽调制)信号控制其开关状态,调节电机速度和方向。

 3. 负载切换
   - 用于负载切换电路中,例如汽车电子系统中的继电器替代方案。FQP13N10 能够快速响应并提供低损耗的电流路径,同时避免机械继电器的磨损问题。

 4. 逆变器电路
   - 在小型逆变器应用中,FQP13N10 可以用作逆变桥臂的一部分,将直流电转换为交流电。其高开关速度和低导通电阻有助于提高效率。

 5. 电池保护与管理
   - 在电池管理系统(BMS)中,FQP13N10 可用作电池充放电路径的开关,确保过流、短路或过压情况下的安全切断。

 6. LED 驱动
   - 用于大功率 LED 照明电路中,通过 PWM 控制调节 LED 的亮度。其低导通电阻特性可以减少发热,提高整体效率。

 7. 音频放大器
   - 在 Class-D 音频放大器中,FQP13N10 可作为输出级开关管,实现高效的音频信号放大。

 8. 工业自动化
   - 在工业控制系统中,用于驱动电磁阀、继电器或小型执行器等负载,提供可靠的开关功能。

 特性总结
- 耐压:100V,适用于中低压应用场景。
- 电流能力:连续漏极电流可达 13A(Tc=25°C),满足大多数中小功率需求。
- 低导通电阻:降低功耗,提高效率。
- 快速开关性能:适合高频开关应用。

总之,FQP13N10 凭借其高性能参数和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220MOSFET N-CH/100V/12.8A 0.18OHM

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

12.8 A

Id-连续漏极电流

12.8 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP13N10QFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FQP13N10

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

65 W

Pd-功率耗散

65 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

180 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

180 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

55 ns

下降时间

25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

450pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

180 毫欧 @ 6.4A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

65W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

6.8 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12.8A (Tc)

系列

FQP13N10

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQP13N10_NL

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