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NDD04N60ZT4G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NDD04N60ZT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDD04N60ZT4G价格参考。ON SemiconductorNDD04N60ZT4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 600V 4.1A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount DPAK。您可以下载NDD04N60ZT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDD04N60ZT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的NDD04N60ZT4G是一款N沟道增强型高压MOSFET,属于晶体管-FET类别。该器件额定电压为600V,连续漏极电流可达4A,具有低导通电阻和优异的开关性能,适用于高效率功率转换场景。 主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC电源适配器、充电器、工业电源模块中,作为主开关管,实现高效能电能转换。 2. 照明电源:适用于LED驱动电源,尤其在高亮度LED照明系统中,支持高效率和高可靠性运行。 3. 电机控制:用于家用电器(如空调、洗衣机)和工业设备中的小功率电机驱动电路,提供快速开关响应与低损耗。 4. PFC电路(功率因数校正):在升压式PFC拓扑中作为开关元件,提升电源系统的功率因数,满足能效标准。 5. 逆变器与UPS:应用于不间断电源(UPS)、太阳能微逆变器等设备中,支持直流到交流的高效转换。 NDD04N60ZT4G采用TO-252(D-Pak)封装,具备良好的热稳定性和可靠性,适合紧凑型设计。其雪崩能量耐受能力强,增强了系统在异常电压冲击下的鲁棒性。此外,该器件符合RoHS环保标准,并通过了AEC-Q101车规认证,也可用于部分车载电源系统。 综上,NDD04N60ZT4G是一款高性能高压MOSFET,适用于多种中低功率、高效率的电力电子应用,尤其适合对可靠性和能效要求较高的工业与消费类电源系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAKMOSFET NFET DPAK 600V 4A 1.8R |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.1 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NDD04N60ZT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDD04N60ZT4G |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 83 W |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| Qg-GateCharge | 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 640pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 欧姆 @ 2A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | NDD04N60ZT4GOSDKR |
| 功率-最大值 | 83W |
| 功率耗散 | 83 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.8 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 19 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 3.3 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 4.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.1A (Tc) |
| 配置 | Single |