Datasheet下载- 型号： STP13N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP13N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP13N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTP13N60M2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP13N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP13N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP13N60M2 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 N 沟道 MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS） - STP13N60M2 的高电压耐受能力（600V）使其非常适合用于开关电源的设计中，例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 - 其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性能够提高效率，减少功率损耗。 2. 电机驱动 - 适用于中小功率电机驱动电路，如步进电机、直流无刷电机（BLDC）或有刷直流电机。 - 可用于 H 桥或半桥拓扑结构，实现电机的正转、反转和速度控制。 3. 逆变器 - 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中，STP13N60M2 可作为功率开关器件，用于将直流电转换为交流电。 - 其高压特性和良好的热性能有助于提高系统的可靠性和效率。 4. 负载开关 - 用作负载开关以控制电路中的电流流动，保护下游电路免受过流或短路的影响。 - 适用于工业设备、家用电器和消费电子产品的电源管理部分。 5. 电磁阀和继电器驱动 - 可用于驱动电磁阀或小型继电器，提供足够的电流和电压支持。 - 其耐用性确保在频繁开关操作中保持稳定性能。 6. 汽车电子 - 适用于汽车中的各种电子控制单元（ECU），如车窗升降器、雨刷器、座椅调节等系统。 - 符合汽车级应用对可靠性和高温性能的要求。 7. 照明控制 - 在 LED 照明或荧光灯镇流器中，可作为开关元件来调节亮度或实现调光功能。 - 高效的开关性能有助于降低能耗并延长灯具寿命。 总结 STP13N60M2 凭借其高电压、低导通电阻和出色的开关性能，广泛应用于工业、消费电子、汽车和能源转换等领域。它特别适合需要高效功率转换和可靠开关操作的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP13N60M2MDmesh™ II Plus |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP13N60M2 |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 17 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 9.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 580pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-13842-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 41 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
| 系列 | STP13N60M2 |
| 配置 | Single |
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