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  • 型号: SIJ482DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SIJ482DP-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIJ482DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIJ482DP-T1-GE3价格参考。VishaySIJ482DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 80V 60A(Tc) 5W(Ta),69.4W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIJ482DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIJ482DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SIJ482DP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的场景。该器件采用小尺寸封装(如 TDFN),适合对空间要求严格的电路设计。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、负载开关和电池供电设备中的功率控制,具有低导通电阻,有助于提高能效并减少发热。

2. 负载开关与热插拔控制:在服务器、通信设备和工业控制系统中,作为高侧或低侧开关,用于控制电源分配和防止浪涌电流。

3. 马达驱动与继电器替代:用于小型电机控制、电磁阀和继电器替代应用,提供快速开关和高可靠性。

4. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,用于电源管理和负载切换,因其小尺寸和低功耗特性而受到青睐。

5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED 照明控制和车身控制模块,满足汽车应用中对可靠性和效率的要求。

该 MOSFET 具有高开关速度和良好的热稳定性,适用于中低功率的高频开关应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8MOSFET 80V 6.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

60 A

Id-连续漏极电流

60 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?63728

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIJ482DP-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SIJ482DP-T1-GE3SIJ482DP-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

69.4 W

Pd-功率耗散

69.4 W

Qg-栅极电荷

24 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

6.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

6.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

80 V

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

2.7 V

Vgs-栅源极击穿电压

2.7 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.7V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2425pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

71nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.2 毫欧 @ 20A,10V

产品种类

N-Channel MOSFETs

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SIJ482DP-T1-GE3CT

功率-最大值

69.4W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

80V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

60A (Tc)

配置

Single

零件号别名

SIJ482DP-GE3

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