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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9Z34由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9Z34价格参考。VishayIRF9Z34封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF9Z34参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9Z34 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF9Z34 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别,广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景。以下是 IRF9Z34 的主要应用场景: 1. 电源管理 - 负载开关:用于控制电路中负载的通断,能够快速响应并减少功耗。 - 低压降电源切换:在电池供电设备中,IRF9Z34 可用作电源切换开关,实现高效的电源管理。 - DC-DC 转换器:作为同步整流器或开关元件,提高 DC-DC 转换器的效率。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于低电压、小功率电机的启停和速度控制,例如玩具电机、风扇电机等。 - H 桥电路:与其他 N 沟道 MOSFET 配合,构建 H 桥以实现电机的正反转控制。 3. 保护电路 - 过流保护:利用其低导通电阻特性,检测电流异常并切断电路,保护后端设备。 - 反向电压保护:防止电源极性接反对系统造成损坏。 4. 音频放大器 - 在低功率音频放大器中,IRF9Z34 可用作输出级开关或驱动元件,提供高保真音频信号。 5. 消费电子 - 应用于便携式设备(如手机充电器、平板电脑)中的电源管理和信号切换。 - 在 LED 照明系统中,作为恒流源或调光控制开关。 6. 工业应用 - 传感器接口:用于控制传感器的供电或信号传输。 - 继电器替代:在需要高频开关的应用中,取代传统机械继电器以提高可靠性和寿命。 特点总结 IRF9Z34 的典型工作电压为 -50V,最大连续漏极电流为 8A,具有较低的导通电阻(Rds(on)),适合中低功率的开关和调节任务。它的封装形式(如 TO-220 或 TO-252)便于散热设计,适合多种紧凑型和高性能应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 18A TO-220ABMOSFET P-Chan 60V 18 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF9Z34- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91092点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | IRF9Z34IRF9Z34 |
| Pd-PowerDissipation | 88 W |
| Pd-功率耗散 | 88 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 140 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 120 ns |
| 下降时间 | 58 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 140 毫欧 @ 11A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF9Z34 |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 88W |
| 功率耗散 | 88 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 140 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |