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Datasheet下载- 型号： IRF7205TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRF7205TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7205TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7205TRPBF价格参考。International RectifierIRF7205TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 4.6A（Ta） 2.5W（Tc） 8-SO。您可以下载IRF7205TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7205TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7205TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：该MOSFET常用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、开关电源和线性稳压器等。它能够高效地进行电压调节，减少能量损耗，并确保系统稳定运行。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中，IRF7205TRPBF可以作为开关元件来控制电机的启动、停止以及速度调节。由于其低导通电阻特性，能有效降低发热，提高效率。 3. 电池保护电路：应用于锂电池或其他类型的可充电电池组中，用作充放电路径上的开关，防止过充或过放现象发生，保障电池安全。 4. 负载切换：在需要频繁开启/关闭负载电流的应用场合下，比如LED照明系统、汽车电子设备等，此款MOSFET凭借快速响应时间和较低的导通压降优势，成为理想选择。 5. 信号放大与处理：虽然主要用于功率应用，但在某些情况下也可以用作模拟信号放大的开关器件，尤其是在要求高输入阻抗和低噪声水平的情况下。 6. 通信及消费类电子产品：例如智能手机、平板电脑和平板电视内部的多个子系统都可能用到这种类型的MOSFET，以实现高效的电源管理和信号传输功能。 总之，IRF7205TRPBF因其出色的电气性能和可靠性，在众多工业、消费级产品设计中扮演着重要角色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| Ciss-输入电容 | 870 pF |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.6 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4.6 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7205TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7205TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 27 nC |
| Qg-栅极电荷 | 27 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 130 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 3 V |
| 上升时间 | 21 ns |
| 下降时间 | 71 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 870pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 4.6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | *IRF7205TRPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 97 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 130 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 27 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 6.6 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | - 4.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.6A （Ta） |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
