Datasheet下载- 型号： DMN10H120SFG-13
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN10H120SFG-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN10H120SFG-13价格参考。Diodes Inc.DMN10H120SFG-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN10H120SFG-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN10H120SFG-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DMN10H120SFG-13 是一款N沟道MOSFET，属于高性能、低导通电阻的功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效能开关和电源管理的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流和电压调节模块（VRM），尤其在笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统中表现优异。 2. 负载开关与电源开关：由于其低导通电阻（RDS(on)）和高开关速度，适合用于电池供电设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑和便携式电子设备，有助于降低功耗并提升能效。 3. 电机驱动：可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，常见于家电、电动工具和工业控制设备。 4. 热插拔电路：在支持热插拔的背板或接口电路中，该MOSFET可作为理想的功率开关，提供过流保护和软启动功能。 5. LED驱动与照明系统：适用于恒流LED驱动电路，特别是在高效率要求的LED照明应用中。 6. 消费类电子产品与物联网设备：因其小封装（如SOT-23或类似尺寸）、高集成度和低功耗特性，适合空间受限的紧凑型设计。 DMN10H120SFG-13具备100V耐压、低栅极电荷和优良的热性能，能够在高温环境下稳定工作，满足工业级和汽车级应用的部分需求。总体而言，它是一款适用于中低压、高效率开关电源及功率控制的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN10H120SFG-13 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 549pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 3.3A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 其它名称 | DMN10H120SFG-13DIDKR |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.8A （Ta） |
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