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产品简介:
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2N5951_J35Z 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的射频晶体管,属于 FET(场效应晶体管)中的 MOSFET 类型。它专为高频和射频应用设计,具有低噪声、高增益和高线性度的特性。以下是该型号的主要应用场景: 1. 射频放大器 - 2N5951_J35Z 常用于射频信号放大器中,例如低噪声放大器(LNA)。其低噪声系数使其非常适合接收端信号放大的场景,能够有效提升弱信号的质量。 - 应用领域包括无线通信设备、卫星接收器、无线电收发模块等。 2. 无线通信系统 - 在无线通信系统中,该器件可用于中频或射频信号的放大与处理。例如,蜂窝基站、Wi-Fi 路由器、蓝牙模块等设备中,都需要高效且稳定的射频放大器。 - 其高线性度特性可减少信号失真,确保通信质量。 3. 雷达与导航系统 - 雷达和导航系统需要高性能的射频组件来实现目标检测和定位功能。2N5951_J35Z 的高频性能和稳定性使其成为这些系统中的理想选择。 - 它可以用于信号发射和接收电路,提供可靠的功率输出和灵敏的信号捕获能力。 4. 测试与测量设备 - 在射频测试仪器中,如频谱分析仪、信号发生器等,该器件可用于构建高精度的射频信号链路。 - 其稳定的增益特性和宽频率范围有助于提高测试设备的准确性。 5. 工业与医疗应用 - 工业自动化设备中的无线传感器网络可能需要射频放大器来传输数据,2N5951_J35Z 可以满足这一需求。 - 在医疗领域,某些诊断设备(如超声波成像系统)可能涉及高频信号处理,该器件也可发挥作用。 6. 业余无线电与DIY项目 - 对于无线电爱好者来说,2N5951_J35Z 是构建自制射频电路的理想元件,适用于实验性项目或小型化设计。 总结来说,2N5951_J35Z 凭借其优异的射频性能,广泛应用于通信、雷达、测试设备以及工业和医疗领域。它的低噪声和高线性度特性使其成为射频电路设计中的重要选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | IC RF AMP N-CH TO-92 |
产品分类 | RF FET |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2N5951_J35Z |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率-输出 | - |
包装 | 散装 |
噪声系数 | 2dB |
增益 | - |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
晶体管类型 | N 通道 JFET |
标准包装 | 2,000 |
电压-测试 | 15V |
电压-额定 | 30V |
电流-测试 | - |
频率 | 1kHz |
额定电流 | 13mA |