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Datasheet下载- 型号： SI2328DS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2328DS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2328DS-T1-GE3价格参考￥1.51-￥2.57。VishaySI2328DS-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 1.15A（Ta） 730mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载SI2328DS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2328DS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI2328DS-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有低导通电阻和快速开关特性。这款MOSFET广泛应用于各种电力电子设备中，特别是在需要高效、可靠且紧凑的功率控制解决方案的场合。 应用场景： 1. 电源管理： - SI2328DS-T1-GE3常用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理系统中。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高效率。例如，在笔记本电脑、智能手机和平板电脑的充电电路中，该MOSFET可以实现高效的电源转换。 2. 电池保护电路： - 在便携式电子产品如电动工具、无人机和智能家居设备中，MOSFET用于电池保护电路，防止过充、过放和短路等问题。SI2328DS-T1-GE3的快速响应时间和低导通电阻使其成为理想选择。 3. 电机驱动： - 该MOSFET适用于小型电机驱动应用，如风扇、泵和小型机器人。它可以在高频率下快速开关，确保电机平稳运行并减少电磁干扰（EMI）。此外，其低导通电阻有助于降低发热，延长设备寿命。 4. 负载开关： - 在消费电子和工业控制系统中，MOSFET作为负载开关使用，能够快速切断或接通电流路径。SI2328DS-T1-GE3的低导通电阻和小封装尺寸使其适合集成到紧凑的设计中，如USB充电端口、汽车电子系统中的负载控制等。 5. 逆变器和UPS系统： - 在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，MOSFET用于逆变电路，将直流电转换为交流电。SI2328DS-T1-GE3的高耐压和低损耗特性使其能够在这些应用场景中提供稳定可靠的性能。 6. LED驱动： - 在LED照明系统中，MOSFET用于调节电流以控制亮度。SI2328DS-T1-GE3的低导通电阻和快速开关速度有助于实现精确的电流控制，同时减少热量产生，提高系统的整体效率。 总之，SI2328DS-T1-GE3凭借其优异的电气特性和紧凑的封装，适用于多种高效能、低功耗的应用场景，尤其在便携式电子设备、电源管理和电机驱动领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT-23MOSFET 100V 1.5A 1.25W 250mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71796 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2328DS-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?71796 |
| 产品型号 | SI2328DS-T1-GE3SI2328DS-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 730 mW |
| Pd-功率耗散 | 730 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2328DS-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 730mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 250 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 1.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.15A （Ta） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2328DS-GE3 |
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